technologia V-NAND

0

Nowe pamięci eUFS 3.0 od Samsunga

Posted on by admin

Samsung będzie produkował pamięci eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB, które znajdą zastosowanie w najwydajniejszych urządzeniach mobilnych. Pamięci te wykorzystują kości V-NAND piątej generacji i mają być znacznie wydajniejsze niż eUFS 2.1. Koreańska firma planuje też… Continue Reading →

Read more
0

Nowe dyski SSD z technologią 3D V-NAND

Posted on by admin

Firma Samsung wprowadziła do sprzedaży nową linię dysków SSD 850 PRO, z najnowocześniejszą technologią pamięci flash o trójwymiarowej strukturze komórek z pionowym wiązaniem (3D V‑NAND). Nowa seria produktów Samsung 850 PRO, zaprezentowana na Globalnym Szczycie Samsung

Read more