0

Nowe pamięci eUFS 3.0 od Samsunga

Samsung będzie produkował pamięci eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB, które znajdą zastosowanie w najwydajniejszych urządzeniach mobilnych. Pamięci te wykorzystują kości V-NAND piątej generacji i mają być znacznie wydajniejsze niż eUFS 2.1. Koreańska firma planuje też produkcję wersji 1 TB, 256GB i 128 GB.

Nowe nośniki danych znajdą się w wielu urządzeniach mobilnych z wyższej półki, takich jak ultrabooki, tablety i smartfony. Dzięki zwiększonej wydajności będą obsługiwały prędkość odczytu na poziomie 2100 MB/s. Poniżej tabela zestawiająca je z innymi produktami.

Model

Prędkość sekwencyjnego odczytu

Prędkość sekwencyjnego zapisu

Losowy odczyt 4K

Losowy zapis 4K

512 GB eUFS 3.0
(luty 2019)

2100 MB/s

410 MB/s

63000 IOPS

68000 IOPS

1 TB eUFS 2.1
(styczeń 2019)

1000 MB/s

260 MB/s

58000 IOPS

50000 IOPS

512 GB eUFS 2.1
(listopad 2017)

860 MB/s

255 MB/s

42000 IOPS

40000 IOPS

eUFS 2.1 na rynek motoryzacyjny
(wrzesień 2017)

850 MB/s

150 MB/s

45000 IOPS

32000 IOPS

256 GB UFS (karta)
(lipiec 2016)

530 MB/s

170 MB/s

40000 IOPS

35000 IOPS

128 GB eUFS 2.0
(styczeń 2015)

350 MB/s

150 MB/s

19000 IOPS

14000 IOPS

eMMC 5.1

250 MB/s

125 MB/s

11000 IOPS

13000 IOPS

eMMC 5.0

250 MB/s

90 MB/s

7000 IOPS

13000 IOPS

eMMC 4.5

140 MB/s

50 MB/s

7000 IOPS

2000 IOPS

Rozpoczęcie masowej produkcji oznacza, że niebawem pamięci trafią do najnowszych smartfonów i tabletów oraz na sklepowe półki, natomiast na inne warianty pojemnościowe trzeba będzie poczekać do drugiej połowy tego roku.

admin

Dodaj komentarz

Twój adres e-mail nie zostanie opublikowany. Wymagane pola są oznaczone *