0

Nowe pamięci eUFS 3.0 od Samsunga

Samsung będzie produkował pamięci eUFS 3.0 (embedded Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB, które znajdą zastosowanie w najwydajniejszych urządzeniach mobilnych. Pamięci te wykorzystują kości V-NAND piątej generacji i mają być znacznie wydajniejsze niż eUFS 2.1. Koreańska firma planuje też produkcję wersji 1 TB, 256GB i 128 GB.

Nowe nośniki danych znajdą się w wielu urządzeniach mobilnych z wyższej półki, takich jak ultrabooki, tablety i smartfony. Dzięki zwiększonej wydajności będą obsługiwały prędkość odczytu na poziomie 2100 MB/s. Poniżej tabela zestawiająca je z innymi produktami.

Model

Prędkość sekwencyjnego odczytu

Prędkość sekwencyjnego zapisu

Losowy odczyt 4K

Losowy zapis 4K

512 GB eUFS 3.0
(luty 2019)

2100 MB/s

410 MB/s

63000 IOPS

68000 IOPS

1 TB eUFS 2.1
(styczeń 2019)

1000 MB/s

260 MB/s

58000 IOPS

50000 IOPS

512 GB eUFS 2.1
(listopad 2017)

860 MB/s

255 MB/s

42000 IOPS

40000 IOPS

eUFS 2.1 na rynek motoryzacyjny
(wrzesień 2017)

850 MB/s

150 MB/s

45000 IOPS

32000 IOPS

256 GB UFS (karta)
(lipiec 2016)

530 MB/s

170 MB/s

40000 IOPS

35000 IOPS

128 GB eUFS 2.0
(styczeń 2015)

350 MB/s

150 MB/s

19000 IOPS

14000 IOPS

eMMC 5.1

250 MB/s

125 MB/s

11000 IOPS

13000 IOPS

eMMC 5.0

250 MB/s

90 MB/s

7000 IOPS

13000 IOPS

eMMC 4.5

140 MB/s

50 MB/s

7000 IOPS

2000 IOPS

Rozpoczęcie masowej produkcji oznacza, że niebawem pamięci trafią do najnowszych smartfonów i tabletów oraz na sklepowe półki, natomiast na inne warianty pojemnościowe trzeba będzie poczekać do drugiej połowy tego roku.

admin

Dodaj komentarz

Twój adres email nie zostanie opublikowany. Pola, których wypełnienie jest wymagane, są oznaczone symbolem *